硅的污染主要发生于原水中硅的含量与总阴离子含量(不包括碱度)比值高的对流再生单床，尤其是在弱、强型阴离子交换树脂联合应用的设备和系统中。清洗二氧化硅污染可用烧碱，建议用量为130 ~ 160 g/L，浓度为2.0 %，处理温度为50℃~60℃。树脂床须先浸泡，如条件不允许，可将溶液以2个床体积/小时的流速通过树脂床，这方法的关键是保持较高温度及接触时间。

　　古马隆树脂一般不会发生硅的污染，防止硅污染的主要措施阴床失效后要及时再生，不在失效态备用。再生碱液应加热，Ⅰ型树脂不高于40℃，Ⅱ型树脂不高于35℃。降低再生液的浓度至2 % NaOH。再生液的流速不低于5 m / h，但应保持进再生液的时间不少于30min。联合应用系统中要从设计上保证弱型树脂先失效。